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SSD等存儲價格繼續暴跌，這讓韓國廠商非常難受，雖然三星等表示減產應對，但實際效果很一般。

韓國國際貿易協會(KITA)周二公布的數據顯示，今年第一季度韓國出口同比下降12.6%，至1515億美元。主要由于芯片出口疲軟。

(資料圖片)

報告顯示，今年第一季度，芯片和其他中間產品的出口下降了19.5%，與去年同期9%的增長相比出現了急劇轉變。特別是芯片出口同比減少了40%，鋼鐵出口減少了15.8%。

今年第一季度，韓國對中國的出口比去年同期下降了近30%，對越南和日本的出口也分別減少了25.2%和10.1%。

2023全球存儲芯片市場狀況與供需局面

由于存儲芯片市場持續低迷，韓國芯片制造巨頭、蘋果供應商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了創紀錄的季度運營虧損。不過該公司表示，各大存儲芯片制造商減產后，將從今年下半年開始改善市場狀況。

這家全球第二大存儲芯片制造商公布，今年一季度營業虧損3.4萬億韓元(合25.4億美元)，上年同期盈利2.9萬億韓元。這一結果符合分析師的預期。

這是SK集團自2012年收購海力士以來的最大虧損，也是繼去年第四季度虧損1.9萬億韓元后，連續兩個季度出現虧損。

財報顯示，該公司一季度營收同比下降58%，至5.1萬億韓元。

SK海力士表示，公司虧損進一步擴大，主要是因為全球經濟放緩令第一季度存儲芯片供過于求的局面惡化，導致價格下跌。

盡管SK海力士錄得創紀錄虧損，但由于公司表示未來存儲芯片市場將反彈，該公司股價周三早盤錄得上漲，目前上漲約3%。

存儲芯片的價格周期

從DRAM的價格周期看，自2012 年至今DRAM已經經歷了三輪周期。

*輪周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2為周期上行，主要驅動力為智能手機爆發，對 DRAM 的需求增長;2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因為各廠商擴產落地導致供大于求。

第二輪周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驅動力為主要的存儲芯片廠商轉移產能至3D NAND Flash，DRAM 無擴產計劃;2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中國和美國貿易摩擦導致全球下游需求萎靡，服務器、PC、筆記本電腦等需求不佳，DRAM供過于求。

第三輪周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2為周期上行，主要驅動力為疫情下，線上經濟、居家辦公等需求拉動服務器、TV、PC 出貨激增， 5G 手機升級驅動單機容量升級，帶動 DRAM 價格回升。

2021年Q3至今為周期下行，原因是隨著智能手機等消費電子需求步入低迷，存儲廠商持續去庫存。

NAND Flash與DRAM的價格周期波動情況相似，自2012年至今也經歷了三輪周期。

根據中研普華研究院《2023-2028年國內存儲設備行業發展趨勢及發展策略研究報告》顯示：

從2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash兩大內存芯片價格已經下跌長達20個月。各存儲芯片廠商正在集中減產、應對庫存問題、節約資本開支，并推遲先進技術的進展，以應對存儲器需求的疲軟。

為了應對 3DNAND 和 DRAM 內存需求放緩的問題，美光宣布將DRAM和NAND晶圓產量減少約20%，除此之外，美光還宣布將在2023年削減30%的資本開支。

SK 海力士也宣布削減2023年的資本支出50%以上，并對收益較低的存儲產品進行減產。隨后在今年年初，有臺媒報道SK海力士已調降供國內設施使用的晶圓產量10%。

鎧俠也做出了減產動作，調整日本四日市和北上NAND Flash晶圓廠的生產，晶圓生產量將減少約30%。

西部數據宣布NAND閃存產量減少30%。

就在近日，三星一改之前堅決不減產的態度，宣布對存儲芯片進行減產。三星電子表示，將把內存芯片產量削減至“合理水平”，主要以PC內存“DDR4”等通用產品為中心推進。

隨著各家存儲器大廠紛紛大幅減產，存儲芯片供給端過剩現象將進一步改善。近期，從海外三大存儲巨頭的預測來看，市場情況正在出現微妙變化。

據美光透露，存儲芯片庫存已至高點，后續有望迎來行業拐點。雖然目前存儲價格仍在下行，但廠商庫存壓力已達到峰值，后續有望逐步下降至安全水位。

SK海力士日前在股東大會上也透露，預計存儲芯片需求將在今年下半年復蘇，但不確定性依舊存在，公司今年資本開支將減半，不會進一步減產。

鎧俠也認為隨著今年中國經濟全面重啟，客戶庫存水平逐季降低，市場需求將于今年下半年復蘇。

在近日召開的CFMS 2023峰會上，中國存儲龍頭長江存儲的首席運營官程衛華在演講中也提到，得益于智能手機、服務器和個人電腦制造商的需求訂單，全球NAND閃存市場的供需將在今年下半年達到平衡。

國產存儲芯片擴展到了8Gb

國產芯片又傳來好消息，近日，存儲芯片企業江波龍表示，其自主研發了SLC閃存芯片，容量從512Mb擴展到了8Gb。

目前，存儲芯片中DRAM與閃存合計占比達到了95%，其中DRAM占比為52%，閃存芯片中，NAND占40%，NOR3%。

NOR閃存與NAND閃存有很大的區別，NOR型閃存更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小，主要用來存儲代碼及少量數據，比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內運行，NOR閃存通常用于瘦客戶機、機頂盒、打印機和驅動器控制器。

而NAND型更像硬盤，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，成本要低一些，而容量大得多，主要用來存儲資料。

那么今天我們要說的就是NAND閃存。

NAND閃存芯片又通常分為SLC、MLC、TLC以及QLC四種，他們之間有一定區別，各有優缺點。

其中的SLC=Single-Level Cell，其優點是速度快、壽命長，約10萬次擦寫壽命，缺點是價格貴，成本約是MLC的3倍以上。

MLC=Multi-Level Cell，速度和壽命一般，約3000-10000次擦寫壽命，價格也一般。

TLC=Trinary-Level Cell，速度慢、壽命短，約1500-3000次擦寫壽命，價格便宜。

QLC=Quad-Level Cell，速度慢、壽命短，約500-1000次擦寫壽命，但成本最低。

在機械硬盤中磁道是存儲的構建塊，而在固態硬盤中，相同的功能則由單元提供，單元本質上是一個門電路。每個單元可以存儲多少取決于固態硬盤使用的單元類型，也就是SLC單層單元、MLC兩層單元、TLC三層單元和QLC四層單元。

換句話說，SLC每個單元只能存儲一位，MLC能存儲兩個，TLC存儲三個，QLC存儲四個。表面上是一種越大越好的情況，但實際并非如此。

例如，雖然使用QLC可以增加容量，但對于相同的存儲量，它需要的單元數是SLC的1/4。

二將多個位寫入單個單元需要更多時間，這樣就會影響固態硬盤的耐用性，這意味著SLC實際上是最快同時也最可靠的，但也要貴多。

具體到實際產品種，U盤一般采用TLC芯片。

固態硬盤中，主流的都采用MLC顆粒，價格適中，速度與壽命相對較好。但價格較低的固態硬盤，普遍采用TLC芯片顆粒，速度和壽命都一般。

《2023-2028年國內存儲設備行業發展趨勢及發展策略研究報告》由中研普華研究院撰寫，本報告對該行業的供需狀況、發展現狀、行業發展變化等進行了分析，重點分析了行業的發展現狀、如何面對行業的發展挑戰、行業的發展建議、行業競爭力，以及行業的投資分析和趨勢預測等等。報告還綜合了行業的整體發展動態，對行業在產品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

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